摘要:步骤依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光(CMP)机理、动力学过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：抛光首先使吸[阅读全文]